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因此，展2造试不同晶面的曝露可以被精细调控，这被称为晶面工程。年能制表面态对表面反应过程的反应动力学至关重要。

就(101)、度智点示动(100)、(001)、(103)f、(103)s和(110)低指数面而言，水分解反应被发现是一种结构敏感的反应。[3,4]图3.用有机或无机添加剂的晶面工程示意图选择性蚀刻晶体不需要的晶面是另一种实现具有选择性暴露面半导体的策略，范行也称为自上向下路径。门开用于制备晶面定向半导体膜的自上而下的路线是选择性的蚀刻和氧化相应的金属箔为具有特定晶面的金属氧化物半导体。

经典综述集锦：展2造试迈进光电催化大门，请从这十篇综述开始。（1）在导电基底上生长对于非原位制备策略，年能制首先合成具有高反应活性面的半导体晶体是重要的。

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[5]（2）氧化还原位点由于半导体晶体的表面能带边缘位置具有各向异性，范行因此可以在不同的平面间合理地形成能带，范行即表面异质结，其中光生电子和空穴被分离在不同的平面内，用于随后的氧化还原反应。门开图2 δ-MnO2正极的物理性能表征（a）制备的MnO2样品和标准δ-MnO2的XRD图。

展2造试（i）在自修复前和自修复4次后电池的循环性能对比。图4Zn-δ-NMOH电池的电化学性能表征（a）Zn-δ-NMOH电池的CV曲线，年能制扫描速率为0.1至1.0mV/s。

（h-1）生成的Na+和水分子嵌入δ-MnO2的SEM（h），度智点示动EDX（i），TEM（j），HRTEM（k），SAED（l）。（f）所制备的MnO2样品的TGA曲线，范行从室温到500℃。